中经记者 谭伦 北京报道

紧跟台积电，1纳米制程有了新的入局者。

日前，综合韩国经济日报及TrendForce报道，三星正在加快研发进度，目标于2030年完成1纳米的研发工作，并于2031年推出1纳米制程。同时，目前三星还在深耕2纳米制程、扩展细分工艺阵容，力争抢占下一代代工市场主导权。

报道透露，三星对于1纳米的信心提振，来自其近日2纳米制程良率的突破，据悉最高已超过60%，显著改善了量产效率，这使得代工业务有望在今年实现盈利。

CHIP中国实验室主任罗国昭向《中国经营报》记者分析称，三星此番如此急切公开1纳米制程信息，显然也有来自产业竞争压力的原因。当前，全球半导体的最先进制程已发展至2纳米的量产阶段，因此，1纳米成为各大巨头竞逐的下一目标。今年年初，台积电曾公开披露，已顺利展开下一代1.4纳米工艺的研发，并正加速推进相关工厂的建设，按照既有节奏，其试产工作将于2027年启动，2030年实现量产；此外，英特尔也在加速追赶，跻身1纳米竞争行列。

2纳米稳产助推新架构

技术细节显示，三星1纳米计划采用的新架构被称为“叉片”（forksheet），该架构是在3纳米节点基础上引入的GAA（环栅）技术的进阶版，也是突破现有物理极限的关键，被视为延续NanoSheet、GAA之后、面向1纳米及以下节点的新架构。据韩媒披露，其核心思路是在n、p晶体管之间加入更紧密的隔离结构，从而进一步缩短间距，在相同芯片面积内容纳更多晶体管，同时将电流路径扩展至四面，显著提升功耗效率与运行性能。

据报道，目前，三星已抽调2纳米核心研发人员组建1纳米专项团队，搭配到位的ASML High-NA EUV光刻机，解决晶体管微型化光刻难题，为技术验证与后续试产筑牢基础。

在罗国昭看来，若按这一方向推进，三星的1纳米将不只是“继续缩小线宽”那么简单，而是转向全新的架构创新。因此，三星1纳米的潜在首批用户，大概率仍会是保守与其2纳米展开合作的客户和领域，即移动SoC、AI、HPC和汽车芯片。

此前，高通已就2纳米代工与三星展开洽谈；三星还与特斯拉签下16.5亿美元协议，后者的AI6芯片对应三星定制的流程，计划于2027年在德州工厂量产；三星内部为AI和高性耗部件提供技术解决方案的System LSI部门也在推进面向下一代手机AP的项目。

对于三星而言，1纳米的信心或许来自其2纳米已经进入良性轨道。TrendForce在最新的报告中指出，三星foundry在2025年第四季度因新2纳米产品出货和HBM4逻辑芯片代工实现收入回升，市场份额升至7.1%，重新回到盈利区间。同一时期，三星官方财报也显示，公司全年研发投入达到37.7万亿韩元，2026年还计划把研发和设施投资提高到110万亿韩元以上，以加码AI芯片和先进制程。

在外界看来，这意味着三星的先进制程不再只是“纸面路线”，而是开始进入订单驱动的爬坡期。TrendForce援引市场消息显示，三星方面表示2纳米的性能和良率已在量产前达标，2026年下半年将推进第二代2纳米量产，并与客户开展BPA评估和联合开发；三星还把1.4纳米重新排到更长周期，并把目标延迟到2029年前后，反映出公司更强调先把2纳米做稳，再向更先进节点推进。

罗国昭表示，若这些项目能持续放量，1纳米将更像是三星向高端客户传递“长期可交付能力”的信号，考虑到三星今年还宣布将投入超过110万亿韩元用于研发和设施投资，说明其对AI时代先进制程的下注正在加码。

和三星相比，台积电、英特尔的路线则有所不同。其中，台积电在2025年公开了A14（即1.4纳米，注：A即埃米，10A约等于1纳米）路线，计划于2028年量产，官方释出的技术信息是：其技术主轴仍是第二代Nanosheet GAA和NanoFlex Pro标准单元架构。其中，相较N2（台积电研发的2纳米半导体制造工艺），最高可带来15%的性能提升、30%的功耗下降，以及超过20%的逻辑密度提升。

而英特尔则把重点放在18A与14A上。其中，18A已进入风险生产阶段，14A已向领先客户发放早期PDK（工艺设计套件或制程设计套件，是半导体行业中连接芯片设计、晶圆制造与EDA工具的关键桥梁），并采用PowerDirect（一种芯片供电技术）直接接触供电，延续18A的PowerVia背面供电思路，能效表现突出，但良率爬坡困难，截至2025年第三季度，良率仅在55%—70%。

在业内看来，三家之中，台积电的最大优势仍然是规模和确定性。半导体分析师季维援引TrendForce数据指出，2025年第二季度，台积电晶圆代工市场份额升至70.2%，收入达到302.4亿美元；其N2正按计划迈向量产，而A14开发进展也被官方描述为“领先于进度”。这意味着台积电在1纳米级竞争里未必最激进，但它拥有目前三巨头最多的客户信任、量产经验和现金流支撑，而在先进节点的竞争中，交付恰恰是决定性的优势之一。

客户资源与供应链整合能力也是台积电的核心壁垒。目前，苹果已拿下台积电2纳米初期半数以上产能，预计将继续成为其1纳米最大客户，同时英伟达、高通等头部芯片厂商也与台积电保持深度绑定。

而英特尔的优势则在于“工艺创新和系统集成能力”。季维指出，对于高性能计算和AI芯片来说，这类供电与架构创新很有吸引力，因为它会对晶体管密度、功耗、布线和最终系统性能等产生影响。但是，其在量产和商业化方面弱点也较为突出。目前，全球只有台积电、三星和英特尔仍在积极推进Sub-7纳米代工，但只有英特尔未进入前十大晶圆代工厂收入榜。这也意味着，英特尔在1纳米竞争里更像“技术挑战者”，强在架构和供电等技术创新，但外部客户规模与代工生态已成劣势。

因此，对比另两大巨头。尤其是对比台积电，三星的技术迭代速度快的优势也自然凸显，目前，三星的美国在建晶圆厂已启动EUV设备试运行，可同步支持1纳米量产。

“三星1纳米布局是其追赶台积电的关键一步，提前应用的叉片技术有望形成差异化优势，但需突破良率管控与客户生态构建的瓶颈。”季维表示。未来，随着三星、台积电等企业的激烈角逐，1纳米制程的落地将重塑全球先进代工格局，而三星能否如期实现目标，将成为其抢占下一代半导体市场的核心关键。

1纳米催生产业之变

随着全球半导体先进制程竞争进入1纳米时代，产业态势与格局也在悄然变化。

国际半导体产业协会SEMI预计，到2028年，全球7纳米及以下先进制程产能将从2024年的85万片/月升至140万片/月，2纳米及以下产能也将从2025年不足20万片/月增至50万片/月以上。这意味着，先进产能会继续向头部厂商集中。

同时，TrendForce预计，受AI芯片与北美云厂商自研芯片推动，2026年全球晶圆代工收入将同比增长24.8%至2188亿美元，先进节点和先进封装产能都将维持紧张。这表明，1纳米时代或许不会先让芯片价格“更便宜”，反而会先让最前沿的产能更稀缺、定价权更集中。

在业内人士看来，先进制程与先进封装的边界也会进一步模糊。在最新展望中，TrendForce直接将CoWoS等封装能力与先进节点并列为“满载”环节。同时，英特尔在14A路线中强调PowerDirect直接供电和更深层次的系统级集成；三星也在其AI战略中强调“Foundry+Packaging+Memory”的综合方案；中芯国际则把A14与NanoFlexPro一起推出，实际上也是在把制程优势转化为设计灵活性优势。

季维认为，这说明AI时代的制程竞争不再只看晶体管密度，而是看从前道制程到2.5D/3D封装、HBM、Chiplet的整套系统交付能力。未来的赢家，很可能不是单个节点最激进的厂商，而是能把工艺、设计、封装和客户协同做成闭环的厂商。

目前，全球半导体产业的“分层”趋势已经在显现。高端AI、旗舰手机和HPC芯片将继续向5/4纳米、3纳米、2纳米甚至更前沿节点集中，而成熟制程则面临更明显的两极分化。TrendForce指出，先进节点和封装价格走强，但12英寸成熟节点仍受消费电子疲弱拖累，整体景气分化明显。对产业链来说，这意味着上游设备、EDA、材料和IP将更围绕领先节点展开投资，中游代工厂的客户锁定周期也会被拉长。

对下游设计公司而言，提前排产、联合开发和多源供应将变成常态。1纳米战局一旦真正打响，全球半导体的竞争重心就会从“谁先宣布节点”转向“谁能长期兑现产能、良率和客户生态”。

TrendForce预测，随着AI产业持续升级，1纳米制程将成为高端AI服务器、旗舰移动设备的核心支撑，2032年全球1纳米代工市场规模有望突破80亿美元。

总体来看，1纳米战局的开启，标志着全球半导体产业进入“制程极限竞争”时代，将在技术创新、供应链重构与区域竞争中实现格局重塑，而1纳米制程的落地节奏与竞争结果，将成为决定产业走向的核心变量。

（编辑：张靖超 审核：李正豪 校对：刘军）